0

Каков принцип действия солнечных батарей?

Татьяна [729] 6 лет назад
1

Правило действия ясных батарей.

ФЭП преобразует энергию на основе так называемого фотовольтаического результата, характерного для полупроводниковых конструкций, на которые падают прямые ясные лучи.

текст при наведении

Природа этого явления такова. Конструкция ФЭП неоднородна, если она получена потем легированием одного полупроводника примесями различных типов. При этом созданется p-n переход. Также сработает соединение совместно полупроводников с неодинаковой шириной запрещённой зоны - так именуется энергия отрыва одного электрона от атома полупроводника, либо же за счёт создания градиента ширины запрещённой зоны полупроводника через метаморфоза его химического состава. Данный процесс носит наименование «создание варизонных конструкций». Эти методы дозволено применять коллективно.

Реально, на качество реформирования влияют электрофизические свойства самой конструкции, которая является полупроводниковой и неоднородной. Помимо того, не стоит забывать и про оптические свойства ФЭП . Среди данных колляций дозволено сделать ударение на фотопроводимости, которая характеризуется внутренними процессами фотоэффекта в полупроводниках, позже попадания на них ясных лучей. Правило действия самой установки ФЭП достаточно примитивно объяснить с подмогой преобразователей с p-n переходом. Использование таких устройств в космической и ясной энергетике стоит не на последнем месте.

С поддержкой легирования пластины создается «Электронно-дырочный» переход. Пластина состоит из монокристаллического полупроводникового материала. Данный материал имеет свой ярус проводимости (P- либо N -типа) с специализированной примесью. С подмогой примеси создается добавочный верхний слой с проводимостью противоположного вида. В этом слое, что является необходимостью, насыщенность примеси завышенного порядка в различии от примеси в базовом материале. Такие данные требуются для того дабы сотворить проводимость с противоположным знаком и нейтрализовать носители заряда в свободном состоянии. У порога (P- либо N -типа) возникают обедненные участки, от того что происходит процесс перетечки зарядов. Данные участки образуются в (N-слое) с нескомпенсированным объемным в позитивным зарядом. В Р-слое заряд негативный. Реально эти участки и создают p-n переход.

В связи с возникновением на переходе возможного барьера (разность потенциалов ) будет отрицательно влиять на прохождение основных носителей заряда(электронов со стороны слоя). Но при этом без каких либо препятствий не основные носители зарядов пропускают в противоположных направлениях. С подмогой такой колляции p-n переходов мы можем определить приобретение фото-ЭДС при ясном облучении ФЭП.

Позже создания с подмогой света неравновесных носителей заряда, в 2-х слоях ФЭП, они делятся самом p-n переходе при этом второстепенные носители (электроны) вольно проходят через данный переход. Основные носители (дырки) задерживаются. Под влиянием ясных излучений через p-n переход в 2-х направлениях будет происходить ток неосновных носителей заряда, фотоэлектронов, фотодырок. Именно это и требуется для работы ФЭП. При замыкании внешней цепи электроны n-слоя будут возвращаться в р-слой, где происходит процесс рекомбинации(т.е.объ­единение) с «дырками» . Внутри ФЭП они движутся в обратном направлении. С поддержкой контактной системы достигается сбор и отвод электронов во внешней цепи, которая располагается на поверхности полупроводниковой системы ФЭП. На тыльной стороне контакты могут быть сплошными. На передней выполняются в виде гребенки либо сетки.

Знаете ответ?
регистрация
OpenID